Nesen SEMICON Taiwan 2026 IC forumā globālais litogrāfijas gigants ASML sniedza detalizētu informāciju par savu High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) litogrāfijas iekārtu jaunākajiem pamatdatiem un tehnoloģisko progresu, kad tās virzās uz liela apjoma ražošanu (HVM).
Attiecībā uz ražošanas apjomu un aprīkojuma piegādi ASML paziņoja, ka četri klienti visā pasaulē ir pabeiguši instalācijas, un tagad pilnībā darbojas 10 High{1}}NA EUV sistēmas. Vēl trīs sistēmas pašlaik ir piegādes un uzstādīšanas posmā. Līdz šim šīs iekārtas ir kopumā eksponējušas vairāk nekā 1,35 miljonus vafeļu, kas iezīmē tehnoloģijas pāreju no eksperimentālas validācijas uz pilna mēroga rūpniecisku pielietojumu. Konkrēti, Intel ir uzņēmies vadību, izmantojot šo tehnoloģiju, lai masveidā ražotu noteiktus Core Ultra Series 3 procesorus (ar koda nosaukumu Panther Lake) savā Intel 18A procesa mezglā, kļūstot par pirmo uzņēmumu pasaulē, kas sasniedzis liela apjoma loģisko mikroshēmu piegādes, izmantojot High{11}}NA EUV.
Aprīkojuma veiktspējas un stabilitātes ziņā pirmās -paaudzes{1}}masveida ražošanas modelis EXE:5200B pieņemšanas testēšanas laikā ir sasniedzis 135 vafeles stundā (WPH), kas atbilst HVM standartiem. Tikmēr globālais flotes pieejamības līmenis ir pieaudzis līdz 84%. ASML prognozē, ka šis rādītājs sasniegs 90% līdz 2026. gada beigām ar ilgtermiņa mērķi-93%. Izmantojot esošās NXE platformas apkopes pieredzi, ASML ir nodrošinājis, ka iekārtu pārklājuma un fokusa veiktspēja atbilst stingrām masveida ražošanas prasībām.
Attiecībā uz tehnoloģiskajām priekšrocībām un nākotnes ceļvežiem, salīdzinot ar iepriekšējām 0,33 NA EUV sistēmām, 0,55 NA High-NA EUV piedāvā izcilu izšķirtspēju. Tas ļauj ar vienu-formējumu aizstāt sarežģītu vairāku-modeli, tieši samazinot defektu biežumu, ražošanas cikla laiku un uzlaboto mezglu kopējās izmaksas. Turklāt šī tehnoloģija paver jaunas dizaina telpas 2D mikroshēmu izkārtojumiem, potenciāli samazinot kopējo metāla starpsavienojumu slāņu skaitu. Raugoties nākotnē, ASML ir izveidojis stabilu tehnoloģiju ceļvedi, kas aptver vairāk nekā desmit gadus. Palielinot EUV gaismas avota jaudu (no 600 W līdz 1000 W) un optimizējot citus mehāniskos procesus, uzņēmuma mērķis ir līdz šīs desmitgades beigām palielināt iekārtu caurlaidspēju līdz 180 WPH, turpinot nodrošināt pamatatbalstu pusvadītāju ražošanai no 2 nm mezgla līdz Angstrom ērai.
